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DGD2118S8-13

DGD2118S8-13

Solo per riferimento

Numero parte DGD2118S8-13
PNEDA Part # DGD2118S8-13
Descrizione IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SO
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.334
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DGD2118S8-13 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDGD2118S8-13
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver
Datasheet
DGD2118S8-13, DGD2118S8-13 Datasheet (Totale pagine: 11, Dimensioni: 634,49 KB)
PDFDGD2118S8-13 Datasheet Copertura
DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 2 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 3 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 4 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 5 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 6 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 7 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 8 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 9 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 10 DGD2118S8-13 Datasheet Pagina 11

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DGD2118S8-13 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Configurazione guidataHigh-Side
Tipo di canaleSingle
Numero di driver1
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione10V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH6V, 9.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)290mA, 600mA
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)75ns, 35ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 600mA

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

200V

Tempo di salita / discesa (tipico)

70ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

16-VFQFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

16-MLPQ (4x4)

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Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

1V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2.7A, 2.4A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

28V

Tempo di salita / discesa (tipico)

50ns, 40ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

14-HTSSOP

L6399D

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

10V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

1.1V, 1.9V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

290mA, 430mA

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

75ns, 35ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

TC1412EPA

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 16V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

18ns, 18ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

8-DIP (0.300", 7.62mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDIP

IR2113-1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

3.3V ~ 20V

Tensione logica - VIL, VIH

6V, 9.5V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

600V

Tempo di salita / discesa (tipico)

25ns, 17ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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