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IR2113-1

IR2113-1

Solo per riferimento

Numero parte IR2113-1
PNEDA Part # IR2113-1
Descrizione IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.858
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 15 - lug 20 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

IR2113-1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteIR2113-1
CategoriaSemiconduttoriCI di gestione dell'alimentazionePMIC - Gate driver

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IR2113-1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Configurazione guidataHalf-Bridge
Tipo di canaleIndependent
Numero di driver2
Tipo di portaIGBT, N-Channel MOSFET
Tensione - Alimentazione3.3V ~ 20V
Tensione logica - VIL, VIH6V, 9.5V
Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)2A, 2A
Tipo di ingressoNon-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap)600V
Tempo di salita / discesa (tipico)25ns, 17ns
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / Custodia14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads
Pacchetto dispositivo fornitore14-PDIP

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Produttore

IXYS Integrated Circuits Division

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Independent

Numero di driver

2

Tipo di porta

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 35V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 3V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

7.5ns, 6.5ns

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC-EP

DGD05463M10-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 14V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2.4V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.5A, 2.5A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

50V

Tempo di salita / discesa (tipico)

17ns, 12ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

10-MSOP

IR3519MTRPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

6.5V ~ 7.5V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

2A, 2A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

35V

Tempo di salita / discesa (tipico)

5ns, 5ns

Temperatura di esercizio

0°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

Maxim Integrated

Serie

-

Configurazione guidata

Low-Side

Tipo di canale

Single

Numero di driver

1

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4V ~ 12.6V

Tensione logica - VIL, VIH

-

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

1.3A, 7.6A

Tipo di ingresso

Inverting, Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

82ns, 12.5ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

6-TDFN-EP (3x3)

UCD7232RTJT

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Produttore

Serie

-

Configurazione guidata

Half-Bridge

Tipo di canale

Synchronous

Numero di driver

2

Tipo di porta

N-Channel MOSFET

Tensione - Alimentazione

4.7V ~ 15V

Tensione logica - VIL, VIH

0.8V, 2V

Corrente - Uscita di picco (Source, Sink)

4A, 4A

Tipo di ingresso

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Tempo di salita / discesa (tipico)

27ns, 21ns

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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