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CY7C1464AV25-167BGC

CY7C1464AV25-167BGC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1464AV25-167BGC
PNEDA Part # CY7C1464AV25-167BGC
Descrizione IC SRAM 36M PARALLEL 209FBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.930
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 31 - giu 5 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1464AV25-167BGC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1464AV25-167BGC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1464AV25-167BGC, CY7C1464AV25-167BGC Datasheet (Totale pagine: 27, Dimensioni: 500,79 KB)
PDFCY7C1464AV25-167BGC Datasheet Copertura
CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 2 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 3 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 4 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 5 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 6 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 7 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 8 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 9 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 10 CY7C1464AV25-167BGC Datasheet Pagina 11

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CY7C1464AV25-167BGC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Synchronous, SDR
Dimensione della memoria36Mb (512K x 72)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock167MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina-
Tempo di accesso3.4ns
Tensione - Alimentazione2.375V ~ 2.625V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia209-BGA
Pacchetto dispositivo fornitore209-FBGA (14x22)

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

FLASH

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FLASH

Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

120ns

Tempo di accesso

120ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

32-PDIP

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

28-DIP (0.600", 15.24mm)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-PDIP

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Alliance Memory, Inc.

Produttore

Alliance Memory, Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR3L

Dimensione della memoria

1Gb (64M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

800MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

1.283V ~ 1.45V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 95°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

96-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

96-FBGA (8x13)

MT29F256G08CBHBBJ4-3RES:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

256Gb (32G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

AT24C64AN-10SI-1.8-T

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

1.8V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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