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AT24C64AN-10SI-1.8-T

AT24C64AN-10SI-1.8-T

Solo per riferimento

Numero parte AT24C64AN-10SI-1.8-T
PNEDA Part # AT24C64AN-10SI-1-8-T
Descrizione IC EEPROM 64K I2C 400KHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 8.172
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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AT24C64AN-10SI-1.8-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C64AN-10SI-1.8-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C64AN-10SI-1.8-T, AT24C64AN-10SI-1.8-T Datasheet (Totale pagine: 20, Dimensioni: 216,02 KB)
PDFAT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT24C64AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT24C64AN-10SI-1.8-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria64Kb (8K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione1.8V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.465V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-LQFP

Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x14)

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

1MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

400ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

MT46H32M16LFBF-6 IT:C

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

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Formato memoria

DRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

166MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

512Kb (32K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

15ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

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