Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Milioni di parti elettroniche in magazzino. Quotazioni su prezzi e tempi di consegna entro 24 ore.

CY7C1020BN-12VXC

CY7C1020BN-12VXC

Solo per riferimento

Numero parte CY7C1020BN-12VXC
PNEDA Part # CY7C1020BN-12VXC
Descrizione IC SRAM 512K PARALLEL 44SOJ
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 18 - mag 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY7C1020BN-12VXC Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY7C1020BN-12VXC
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY7C1020BN-12VXC, CY7C1020BN-12VXC Datasheet (Totale pagine: 8, Dimensioni: 418,1 KB)
PDFCY7C1020BN-15ZXCT Datasheet Copertura
CY7C1020BN-15ZXCT Datasheet Pagina 2 CY7C1020BN-15ZXCT Datasheet Pagina 3 CY7C1020BN-15ZXCT Datasheet Pagina 4 CY7C1020BN-15ZXCT Datasheet Pagina 5 CY7C1020BN-15ZXCT Datasheet Pagina 6 CY7C1020BN-15ZXCT Datasheet Pagina 7 CY7C1020BN-15ZXCT Datasheet Pagina 8

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.

Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:

  • Pronta reattività

    Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.

  • Qualità garantita

    I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.

  • Accesso globale

    La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.

Hot search vocabulary

  • CY7C1020BN-12VXC Datasheet
  • where to find CY7C1020BN-12VXC
  • Cypress Semiconductor

  • Cypress Semiconductor CY7C1020BN-12VXC
  • CY7C1020BN-12VXC PDF Datasheet
  • CY7C1020BN-12VXC Stock

  • CY7C1020BN-12VXC Pinout
  • Datasheet CY7C1020BN-12VXC
  • CY7C1020BN-12VXC Supplier

  • Cypress Semiconductor Distributor
  • CY7C1020BN-12VXC Price
  • CY7C1020BN-12VXC Distributor

CY7C1020BN-12VXC Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
Serie-
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria512Kb (32K x 16)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina12ns
Tempo di accesso12ns
Tensione - Alimentazione4.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore44-SOJ

I prodotti a cui potresti essere interessato

NAND512W3A2BN6E

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

512Mb (64M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

50ns

Tempo di accesso

50ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

GD5F4GQ4RCYIGR

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Produttore

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

4Gb (512M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O

Frequenza di clock

120MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 2V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-WDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-WSON (6x8)

MT29F1T08EEHAFJ4-3T:A

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

1Tb (128G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

333MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

132-VBGA (12x18)

24LC024T-I/MC

Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

2Kb (256 x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

400kHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

5ms

Tempo di accesso

900ns

Tensione - Alimentazione

2.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-VFDFN Exposed Pad

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (2x3)

MT46V16M16P-6T L:F TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

DRAM

Tecnologia

SDRAM - DDR

Dimensione della memoria

256Mb (16M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

167MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

15ns

Tempo di accesso

700ps

Tensione - Alimentazione

2.3V ~ 2.7V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

66-TSOP

Venduto di recente

16SVPF180M

16SVPF180M

Panasonic Electronic Components

CAP ALUM POLY 180UF 20% 16V SMD

PIC16F684-I/ST

PIC16F684-I/ST

Microchip Technology

IC MCU 8BIT 3.5KB FLASH 14TSSOP

SI3420A-TP

SI3420A-TP

Micro Commercial Co

MOSFET N-CH 20V 6A SOT-23

CDSU4148

CDSU4148

Comchip Technology

DIODE GEN PURP 75V 150MA 0603

MAX15027ATB/V+T

MAX15027ATB/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 10TDFN

MAX811SEUS+T

MAX811SEUS+T

Maxim Integrated

IC MPU V-MONITOR 2.93V SOT143-4

LSM115JE3/TR13

LSM115JE3/TR13

Microsemi

DIODE SCHOTTKY 15V 1A DO214BA

ADP7158ACPZ-3.3-R7

ADP7158ACPZ-3.3-R7

Analog Devices

IC REG LINEAR 3.3V 2A 10LFCSP

0451004.MR

0451004.MR

Littelfuse

FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD

LTM4630IY

LTM4630IY

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CNVRTR 0.6-1.8V 0.6-1.8V

SML-310MTT86

SML-310MTT86

Rohm Semiconductor

LED GREEN CLEAR 0603 SMD

PS2805-1-A

PS2805-1-A

CEL

OPTOISOLATOR 2.5KV TRANS 4SOIC