NAND512W3A2BN6E
Solo per riferimento
| Numero parte | NAND512W3A2BN6E |
| PNEDA Part # | NAND512W3A2BN6E |
| Descrizione | IC FLASH 512M PARALLEL 48TSOP |
| Produttore | STMicroelectronics |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 2.602 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 11 - mag 16 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NAND512W3A2BN6E Risorse
| Brand | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | NAND512W3A2BN6E |
| Categoria | Semiconduttori › Circuiti integrati di memoria › Memoria |
| Datasheet |
NAND512W3A2BN6E, NAND512W3A2BN6E Datasheet
(Totale pagine: 56, Dimensioni: 882,74 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- NAND512W3A2BN6E Datasheet
- where to find NAND512W3A2BN6E
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics NAND512W3A2BN6E
- NAND512W3A2BN6E PDF Datasheet
- NAND512W3A2BN6E Stock
- NAND512W3A2BN6E Pinout
- Datasheet NAND512W3A2BN6E
- NAND512W3A2BN6E Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- NAND512W3A2BN6E Price
- NAND512W3A2BN6E Distributor
NAND512W3A2BN6E Specifiche
| Produttore | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Frequenza di clock | - |
| Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina | 50ns |
| Tempo di accesso | 50ns |
| Tensione - Alimentazione | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR Dimensione della memoria 512Mb (16M x 32) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock 166MHz Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 12ns Tempo di accesso 5.5ns Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 90-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 90-TFBGA (8x13) |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria FLASH Tecnologia FLASH - NAND Dimensione della memoria 4Gb (512M x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.95V Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 63-VFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 63-VFBGA (9x11) |
Produttore Cypress Semiconductor Corp Serie - Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria NVSRAM Tecnologia NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Dimensione della memoria 4Mb (256K x 16) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 45ns Tempo di accesso 45ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.63V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP II |
Produttore Everspin Technologies Inc. Serie Automotive, AEC-Q100 Tipo di memoria Non-Volatile Formato memoria RAM Tecnologia MRAM (Magnetoresistive RAM) Dimensione della memoria 4Mb (512K x 8) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina 35ns Tempo di accesso 35ns Tensione - Alimentazione 3V ~ 3.6V Temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TA) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 44-TSOP2 |
Produttore Micron Technology Inc. Serie - Tipo di memoria Volatile Formato memoria DRAM Tecnologia DRAM Dimensione della memoria 288Mb (8M x 36) Interfaccia di memoria Parallel Frequenza di clock - Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina - Tempo di accesso - Tensione - Alimentazione 1.7V ~ 1.9V Temperatura di esercizio 0°C ~ 95°C (TC) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 144-TFBGA Pacchetto dispositivo fornitore 144-µBGA (18.5x11) |
