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CY62168DV30LL-55BVXI

CY62168DV30LL-55BVXI

Solo per riferimento

Numero parte CY62168DV30LL-55BVXI
PNEDA Part # CY62168DV30LL-55BVXI
Descrizione IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
Produttore Cypress Semiconductor
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.528
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

CY62168DV30LL-55BVXI Risorse

Brand Cypress Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteCY62168DV30LL-55BVXI
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
CY62168DV30LL-55BVXI, CY62168DV30LL-55BVXI Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 299,03 KB)
PDFCY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Copertura
CY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Pagina 2 CY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Pagina 3 CY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Pagina 4 CY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Pagina 5 CY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Pagina 6 CY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Pagina 7 CY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Pagina 8 CY62168DV30LL-55BVXIT Datasheet Pagina 9

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CY62168DV30LL-55BVXI Specifiche

ProduttoreCypress Semiconductor Corp
SerieMoBL®
Tipo di memoriaVolatile
Formato memoriaSRAM
TecnologiaSRAM - Asynchronous
Dimensione della memoria16Mb (2M x 8)
Interfaccia di memoriaParallel
Frequenza di clock-
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina55ns
Tempo di accesso55ns
Tensione - Alimentazione2.2V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia48-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore48-VFBGA (8x9.5)

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Produttore

SkyHigh Memory Limited

Serie

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Tipo di memoria

-

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

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Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

NAND02GR3B2DN6E

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

2Gb (256M x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

45ns

Tempo di accesso

45ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

48-TSOP

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Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

PSRAM

Tecnologia

PSRAM (Pseudo SRAM)

Dimensione della memoria

64Mb (4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

70ns

Tempo di accesso

70ns

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

-30°C ~ 85°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

54-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

54-VFBGA (6x9)

71024S20YGI

IDT, Integrated Device Technology

Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

1Mb (128K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

32-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

32-SOJ

IS25WP016-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NOR

Dimensione della memoria

16Mb (2M x 8)

Interfaccia di memoria

SPI - Quad I/O, QPI

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 1.95V

Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

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