C3M0120090D
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Numero parte | C3M0120090D |
PNEDA Part # | C3M0120090D |
Descrizione | 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET |
Produttore | Cree/Wolfspeed |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 23.154 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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C3M0120090D Risorse
Brand | Cree/Wolfspeed |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | C3M0120090D |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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C3M0120090D Specifiche
Produttore | Cree/Wolfspeed |
Serie | C3M™ |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 900V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 15A, 15V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 3mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.3nC @ 15V |
Vgs (massimo) | +18V, -8V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 600V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 97W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / Custodia | TO-247-3 |
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