BSP123E6327T
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| Numero parte | BSP123E6327T |
| PNEDA Part # | BSP123E6327T |
| Descrizione | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 8.478 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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BSP123E6327T Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSP123E6327T |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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BSP123E6327T Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | SIPMOS® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 370mA (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 370mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.4nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 70pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.79W (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT223-4 |
| Pacchetto / Custodia | TO-261-4, TO-261AA |
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