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C2M0040120D

C2M0040120D

Solo per riferimento

Numero parte C2M0040120D
PNEDA Part # C2M0040120D
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 60A TO-247
Produttore Cree/Wolfspeed
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 37.512
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 20 - mag 25 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

C2M0040120D Risorse

Brand Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteC2M0040120D
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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C2M0040120D Specifiche

ProduttoreCree/Wolfspeed
SerieZ-FET™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Tensione Drain to Source (Vdss)1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C60A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs115nC @ 20V
Vgs (massimo)+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1893pF @ 1000V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)330W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-247-3
Pacchetto / CustodiaTO-247-3

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Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

860pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

AO4413_101

Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

15A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V, 20V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 15A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

61nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 15V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

DMP1045U-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.8nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±8V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1357pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

800mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

IRF720

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

400V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.3A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

410pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

50W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Tipo FET

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Tecnologia

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Tensione Drain to Source (Vdss)

55V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.6mOhm @ 68A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 180µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

250W (Tc)

Temperatura di esercizio

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