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DMP1045U-7

DMP1045U-7

Solo per riferimento

Numero parte DMP1045U-7
PNEDA Part # DMP1045U-7
Descrizione MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Produttore Diodes Incorporated
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 272.742
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 22 - lug 27 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

DMP1045U-7 Risorse

Brand Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteDMP1045U-7
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
DMP1045U-7, DMP1045U-7 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 391,02 KB)
PDFDMP1045U-7 Datasheet Copertura
DMP1045U-7 Datasheet Pagina 2 DMP1045U-7 Datasheet Pagina 3 DMP1045U-7 Datasheet Pagina 4 DMP1045U-7 Datasheet Pagina 5 DMP1045U-7 Datasheet Pagina 6 DMP1045U-7 Datasheet Pagina 7

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DMP1045U-7 Specifiche

ProduttoreDiodes Incorporated
Serie-
Tipo FETP-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C4A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15.8nC @ 4.5V
Vgs (massimo)±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1357pF @ 10V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)800mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Alpha & Omega Semiconductor

Produttore

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Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 20V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

62.5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252, (D-Pak)

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

NTP6448ANG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 76A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

120nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

ZXMP2120E5TA

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

122mA (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28Ohm @ 150mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

100pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

750mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-5

Pacchetto / Custodia

SC-74A, SOT-753

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.8mOhm @ 21A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 120µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2150pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

57W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Pacchetto / Custodia

8-PowerWDFN

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.8mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2570pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 5W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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