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BYV30JT-600PQ

BYV30JT-600PQ

Solo per riferimento

Numero parte BYV30JT-600PQ
PNEDA Part # BYV30JT-600PQ
Descrizione DIODE GEN PURP 600V 30A TO-3P
Produttore WeEn Semiconductors
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.492
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BYV30JT-600PQ Risorse

Brand WeEn Semiconductors
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBYV30JT-600PQ
CategoriaSemiconduttoriDiodi e raddrizzatoriRaddrizzatori - Singoli
Datasheet
BYV30JT-600PQ, BYV30JT-600PQ Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 270,11 KB)
PDFBYV30JT-600PQ Datasheet Copertura
BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 2 BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 3 BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 4 BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 5 BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 6 BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 7 BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 8 BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 9 BYV30JT-600PQ Datasheet Pagina 10

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BYV30JT-600PQ Specifiche

ProduttoreWeEn Semiconductors
Serie-
Tipo di diodoStandard
Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)600V
Corrente - Media Rettificata (Io)30A
Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If1.8V @ 30A
VelocitàFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr)65ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr10µA @ 600V
Capacità @ Vr, F-
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-3P
Temperatura di esercizio - Giunzione175°C (Max)

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

Automotive, AEC-Q101, eSMP®

Tipo di diodo

Avalanche

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

400V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1.8A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.6V @ 3A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

140ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

10µA @ 200V

Capacità @ Vr, F

44pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-277, 3-PowerDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-277A (SMPC)

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

SFT17G A0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

500V

Corrente - Media Rettificata (Io)

1A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.7V @ 1A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

35ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

5µA @ 500V

Capacità @ Vr, F

10pF @ 4V, 1MHz

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

T-18, Axial

Pacchetto dispositivo fornitore

TS-1

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 150°C

1N3263

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo di diodo

Standard

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

160A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

-

Velocità

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

12mA @ 200V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Chassis, Stud Mount

Pacchetto / Custodia

DO-205AB, DO-9, Stud

Pacchetto dispositivo fornitore

DO-205AB, DO-9

Temperatura di esercizio - Giunzione

-65°C ~ 175°C

C4D05120E-TR

Cree/Wolfspeed

Produttore

Cree/Wolfspeed

Serie

Z-Rec®

Tipo di diodo

Silicon Carbide Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

1200V

Corrente - Media Rettificata (Io)

19A (DC)

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

1.8V @ 5A

Velocità

No Recovery Time > 500mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

0ns

Corrente - Perdita inversa @ Vr

150µA @ 1200V

Capacità @ Vr, F

390pF @ 0V, 1MHz

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252-2

Temperatura di esercizio - Giunzione

-55°C ~ 175°C

TST30U60CW C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

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Tipo di diodo

Schottky

Tensione - Inversione CC (Vr) (Max)

60V

Corrente - Media Rettificata (Io)

15A

Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If

580mV @ 15A

Velocità

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Tempo di recupero inverso (trr)

-

Corrente - Perdita inversa @ Vr

500µA @ 60V

Capacità @ Vr, F

-

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Temperatura di esercizio - Giunzione

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