BUK7Y6R0-60EX
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| Numero parte | BUK7Y6R0-60EX |
| PNEDA Part # | BUK7Y6R0-60EX |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK |
| Produttore | Nexperia |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 66.126 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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BUK7Y6R0-60EX Risorse
| Brand | Nexperia |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BUK7Y6R0-60EX |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BUK7Y6R0-60EX, BUK7Y6R0-60EX Datasheet
(Totale pagine: 13, Dimensioni: 731,18 KB)
  
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BUK7Y6R0-60EX Specifiche
| Produttore | Nexperia USA Inc. |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45.4nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4021pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 195W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | LFPAK56, Power-SO8 |
| Pacchetto / Custodia | SC-100, SOT-669 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 14A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.2nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 3W (Ta), 26W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-WDFN (3.3x3.3) Pacchetto / Custodia 8-PowerWDFN |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 80V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9.5A (Ta), 35A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1949pF @ 40V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore PowerDI3333-8 Pacchetto / Custodia 8-PowerVDFN |
Produttore Renesas Electronics America Serie - Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1380pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 900mW (Ta) Temperatura di esercizio 150°C Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 6-CMFPAK Pacchetto / Custodia 6-SMD, Flat Leads |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.5A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 4.5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 10V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.4W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3L Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
