FDP2710
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| Numero parte | FDP2710 |
| PNEDA Part # | FDP2710 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 250V 50A TO-220 |
| Produttore | ON Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 19.704 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 5 - mag 10 (Scegli Spedizione rapida) |
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FDP2710 Risorse
| Brand | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | FDP2710 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
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FDP2710 Specifiche
| Produttore | ON Semiconductor |
| Serie | PowerTrench® |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 250V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7280pF @ 25V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 260W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-3 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore MICROSS/On Semiconductor Serie - Tipo FET - Tecnologia - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (massimo) - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore Die Pacchetto / Custodia Die |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET N-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 9A (Ta), 44A (Tc) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 10V Vgs (massimo) ±20V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1004pF @ 15V Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 920mW (Ta), 21.6W (Tc) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Pacchetto / Custodia 8-PowerTDFN, 5 Leads |
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