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BUK7Y2R0-40HX

BUK7Y2R0-40HX

Solo per riferimento

Numero parte BUK7Y2R0-40HX
PNEDA Part # BUK7Y2R0-40HX
Descrizione MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7Y2R0-40HX Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7Y2R0-40HX
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK7Y2R0-40HX, BUK7Y2R0-40HX Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 262,77 KB)
PDFBUK7Y2R0-40HX Datasheet Copertura
BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 2 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 3 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 4 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 5 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 6 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 7 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 8 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 9 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 10 BUK7Y2R0-40HX Datasheet Pagina 11

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BUK7Y2R0-40HX Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C120A (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.6V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90.5nC @ 10V
Vgs (massimo)+20V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds5450pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)217W (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreLFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / CustodiaSC-100, SOT-669

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Produttore

STMicroelectronics

Serie

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Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

900V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.3Ohm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2115pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

160W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

NTP75N03L09

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

75A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 37.5A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

75nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5635pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

TSM052N06PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Produttore

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Vgs (massimo)

±25V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3686pF @ 30V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-PDFN (5x6)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

PSMN038-100YLX

Nexperia

Produttore

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37.5mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

39.2nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1905pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

94.9W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

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Pacchetto dispositivo fornitore

LFPAK56, Power-SO8

Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1200V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

4A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.6Ohm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1385pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

225W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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