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BUK7620-100A,118

BUK7620-100A,118

Solo per riferimento

Numero parte BUK7620-100A,118
PNEDA Part # BUK7620-100A-118
Descrizione MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Produttore Nexperia
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 30.174
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 23 - mag 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BUK7620-100A Risorse

Brand Nexperia
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBUK7620-100A,118
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BUK7620-100A, BUK7620-100A Datasheet (Totale pagine: 13, Dimensioni: 779,58 KB)
PDFBUK7620-100A Datasheet Copertura
BUK7620-100A Datasheet Pagina 2 BUK7620-100A Datasheet Pagina 3 BUK7620-100A Datasheet Pagina 4 BUK7620-100A Datasheet Pagina 5 BUK7620-100A Datasheet Pagina 6 BUK7620-100A Datasheet Pagina 7 BUK7620-100A Datasheet Pagina 8 BUK7620-100A Datasheet Pagina 9 BUK7620-100A Datasheet Pagina 10 BUK7620-100A Datasheet Pagina 11

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BUK7620-100A Specifiche

ProduttoreNexperia USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C63A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds4373pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)200W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD2PAK
Pacchetto / CustodiaTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™, TrenchT2™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 38A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

97nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

5800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

IXTY10P15T

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

TrenchP™

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2210pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

83W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-252

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPP08P06PHXKSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.8A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

42W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TO220-3

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

NTMFS4122NT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.1A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2310pF @ 24V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

900mW (Ta)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN, 5 Leads

IPB530N15N3GATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

53mOhm @ 18A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 35µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

887pF @ 75V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

68W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D²PAK (TO-263AB)

Pacchetto / Custodia

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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