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BTS7904SAKSA1

BTS7904SAKSA1

Solo per riferimento

Numero parte BTS7904SAKSA1
PNEDA Part # BTS7904SAKSA1
Descrizione MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO220
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.776
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BTS7904SAKSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBTS7904SAKSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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BTS7904SAKSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieOptiMOS™
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)55V, 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 40µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs123nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds6100pF @ 25V
Potenza - Max69W, 96W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-220-5
Pacchetto dispositivo fornitorePG-TO220-5-13

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Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

45V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

46mOhm @ 4.5A, 10V, 63mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.6nC, 18.2nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

550pF, 1700pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

SI4532CDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A, 4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

47mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

305pF @ 15V

Potenza - Max

2.78W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SI5975DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

86mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

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HP8KA1TB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

14A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 10mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2550pF @ 15V

Potenza - Max

3W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1A

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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