SI4532CDY-T1-GE3
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Numero parte | SI4532CDY-T1-GE3 |
PNEDA Part # | SI4532CDY-T1-GE3 |
Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC |
Produttore | Vishay Siliconix |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 2.898 |
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SI4532CDY-T1-GE3 Risorse
Brand | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Numero di parte | SI4532CDY-T1-GE3 |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
Datasheet |
SI4532CDY-T1-GE3, SI4532CDY-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 14, Dimensioni: 224,04 KB)
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SI4532CDY-T1-GE3 Specifiche
Produttore | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
Tipo FET | N and P-Channel |
Funzione FET | Standard |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 6A, 4.3A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 47mOhm @ 3.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
Potenza - Max | 2.78W |
Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
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