QH8MA3TCR
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| Numero parte | QH8MA3TCR |
| PNEDA Part # | QH8MA3TCR |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V TSMT8 |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.780 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | lug 21 - lug 26 (Scegli Spedizione rapida) |
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QH8MA3TCR Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | QH8MA3TCR |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
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QH8MA3TCR Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | N and P-Channel |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A, 5.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 15V |
| Potenza - Max | 1.5W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SMD, Flat Lead |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TSMT8 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 865pF @ 15V Potenza - Max 3.1W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO |
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