BSS816NW L6327
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| Numero parte | BSS816NW L6327 |
| PNEDA Part # | BSS816NW-L6327 |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.690 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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BSS816NW L6327 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BSS816NW L6327 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
| Datasheet |
BSS816NW L6327, BSS816NW L6327 Datasheet
(Totale pagine: 9, Dimensioni: 450,64 KB)
  
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BSS816NW L6327 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.4A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 2.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 1.4A, 2.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 750mV @ 3.7µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 2.5V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
| Pacchetto / Custodia | SC-70, SOT-323 |
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