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BSS159NL6906HTSA1

BSS159NL6906HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSS159NL6906HTSA1
PNEDA Part # BSS159NL6906HTSA1
Descrizione MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.914
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSS159NL6906HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSS159NL6906HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo
Datasheet
BSS159NL6906HTSA1, BSS159NL6906HTSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 308,46 KB)
PDFBSS159NL6906HTSA1 Datasheet Copertura
BSS159NL6906HTSA1 Datasheet Pagina 2 BSS159NL6906HTSA1 Datasheet Pagina 3 BSS159NL6906HTSA1 Datasheet Pagina 4 BSS159NL6906HTSA1 Datasheet Pagina 5 BSS159NL6906HTSA1 Datasheet Pagina 6 BSS159NL6906HTSA1 Datasheet Pagina 7 BSS159NL6906HTSA1 Datasheet Pagina 8 BSS159NL6906HTSA1 Datasheet Pagina 9

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BSS159NL6906HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieSIPMOS®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C230mA (Ta)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)0V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.5Ohm @ 160mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 26µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.9nC @ 5V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds44pF @ 25V
Funzione FETDepletion Mode
Dissipazione di potenza (max)360mW (Ta)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Produttore

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Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

1000V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

216mOhm @ 33A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

570nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

14800pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

657W (Tc)

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

Pacchetto / Custodia

SP1

TPH3212PS

Transphorm

Produttore

Transphorm

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

27A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

72mOhm @ 17A, 8V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 400uA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 8V

Vgs (massimo)

±18V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 400V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220AB

Pacchetto / Custodia

TO-220-3

STF6NK70Z

STMicroelectronics

Produttore

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

700V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

930pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

30W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-220FP

Pacchetto / Custodia

TO-220-3 Full Pack

Produttore

IXYS

Serie

GigaMOS™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

170V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

245A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

400nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

24000pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

1090W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

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Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

19A (Ta), 80A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

8V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.9mOhm @ 19A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

86nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

7082pF @ 40V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 104W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

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Pacchetto / Custodia

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