APTM100DA18T1G

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Numero parte | APTM100DA18T1G |
PNEDA Part # | APTM100DA18T1G |
Descrizione | MOSFET N-CH 1000V 40A SP1 |
Produttore | Microsemi |
Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
Disponibile | 3.672 |
Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
Consegna stimata | lug 19 - lug 24 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTM100DA18T1G Risorse
Brand | Microsemi |
ECAD Module |
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Mfr. Numero di parte | APTM100DA18T1G |
Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
Datasheet |
APTM100DA18T1G, APTM100DA18T1G Datasheet
(Totale pagine: 5, Dimensioni: 145,13 KB)
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APTM100DA18T1G Specifiche
Produttore | Microsemi Corporation |
Serie | - |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 40A (Tc) |
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 216mOhm @ 33A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 570nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V |
Funzione FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 657W (Tc) |
Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Pacchetto / Custodia | SP1 |
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