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BSM15GD120DN2E3224BOSA1

BSM15GD120DN2E3224BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM15GD120DN2E3224BOSA1
PNEDA Part # BSM15GD120DN2E3224BOSA1
Descrizione IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.956
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 19 - giu 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM15GD120DN2E3224BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)25A
Potenza - Max145W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 15A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

230A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APTGT100DA170D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

GA400TD25S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Produttore

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

250V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1350W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 400A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

36nF @ 30V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

Pacchetto dispositivo fornitore

Dual INT-A-PAK

IFF450B12ME4S8PB11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

450A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 450A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

AG-ECONOD-6

FF300R12ME4B11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

450A

Potenza - Max

1600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

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