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BSM15GD120DN2E3224BOSA1

BSM15GD120DN2E3224BOSA1

Solo per riferimento

Numero parte BSM15GD120DN2E3224BOSA1
PNEDA Part # BSM15GD120DN2E3224BOSA1
Descrizione IGBT 2 LOW POWER ECONO2-1
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.956
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 11 - giu 16 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBSM15GD120DN2E3224BOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli

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BSM15GD120DN2E3224BOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneFull Bridge
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)25A
Potenza - Max145W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3V @ 15V, 15A
Corrente - Taglio collettore (Max)500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce1nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCNo
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1200A

Potenza - Max

7600W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 800A

Corrente - Taglio collettore (Max)

5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

52nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

APTGT100DA170D1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200A

Potenza - Max

695W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 100A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

8.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

D1

Pacchetto dispositivo fornitore

D1

APTGF150A60T3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

NPT

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

230A

Potenza - Max

833W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 200A

Corrente - Taglio collettore (Max)

350µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP3

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3

APTGLQ200A120T3AG

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

400A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 160A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.3nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

SP3F

FS50R12KT4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoPACK™ 2

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 50A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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