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BFR93AE6327HTSA1

BFR93AE6327HTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BFR93AE6327HTSA1
PNEDA Part # BFR93AE6327HTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 293.118
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 13 - giu 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFR93AE6327HTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFR93AE6327HTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF

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BFR93AE6327HTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)12V
Frequenza - Transizione6GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno9.5dB ~ 14.5dB
Potenza - Max300mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce70 @ 30mA, 8V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)90mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitoreSOT-23-3

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

600MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Guadagno

18dB ~ 22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Short Body

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92S

MS1337

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

18V

Frequenza - Transizione

175MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

10dB

Potenza - Max

70W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

8A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

M113

Pacchetto dispositivo fornitore

M113

SD1332-05C

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

Guadagno

17dB

Potenza - Max

180W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 14mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

M150

Pacchetto dispositivo fornitore

M150

BFR193FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

12.5dB

Potenza - Max

580mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

80mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-723

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-TSFP-3

2324-20

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Frequenza - Transizione

2.3GHz ~ 2.4GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7dB

Potenza - Max

58W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10 @ 160mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

3A

Temperatura di esercizio

200°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

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