BFR182WH6327XTSA1
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| Numero parte | BFR182WH6327XTSA1 |
| PNEDA Part # | BFR182WH6327XTSA1 |
| Descrizione | RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 27.858 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 12 - mag 17 (Scegli Spedizione rapida) |
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BFR182WH6327XTSA1 Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BFR182WH6327XTSA1 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - Bipolare (BJT) - RF |
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BFR182WH6327XTSA1 Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Tipo di transistor | NPN |
| Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) | 12V |
| Frequenza - Transizione | 8GHz |
| Figura di rumore (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Guadagno | 19dB |
| Potenza - Max | 250mW |
| Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 8V |
| Corrente - Collettore (Ic) (Max) | 35mA |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | SC-70, SOT-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SOT323-3 |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Tipo di transistor NPN Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max) 12V Frequenza - Transizione 8GHz Figura di rumore (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Guadagno 12dB ~ 18dB Potenza - Max 250mW Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 8V Corrente - Collettore (Ic) (Max) 35mA Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3 |
