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BFP 650F E6327

BFP 650F E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFP 650F E6327
PNEDA Part # BFP-650F-E6327
Descrizione RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.484
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFP 650F E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFP 650F E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFP 650F E6327, BFP 650F E6327 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 128,04 KB)
PDFBFP 650F E6327 Datasheet Copertura
BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 2 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 3 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 4 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 5 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 6 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 7

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BFP 650F E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.5V
Frequenza - Transizione42GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Guadagno11dB ~ 21.5dB
Potenza - Max500mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce110 @ 80mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore4-TSFP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

4.7V

Frequenza - Transizione

42GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Guadagno

27dB

Potenza - Max

160mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-82A, SOT-343

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-343

MSC3930-BT1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

20V

Frequenza - Transizione

150MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

30mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SC-70, SOT-323

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-70-3 (SOT323)

MPS3563G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

1.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

6.5dB @ 60MHz

Guadagno

14dB @ 200MHz

Potenza - Max

350W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92

2SC2714-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

550MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.5dB @ 100MHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

JTDB25

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

55V

Frequenza - Transizione

960MHz ~ 1.215GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

7.5dB

Potenza - Max

97W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

5A

Temperatura di esercizio

200°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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