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BFP 650F E6327

BFP 650F E6327

Solo per riferimento

Numero parte BFP 650F E6327
PNEDA Part # BFP-650F-E6327
Descrizione RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.484
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 16 - mag 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BFP 650F E6327 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBFP 650F E6327
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BFP 650F E6327, BFP 650F E6327 Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 128,04 KB)
PDFBFP 650F E6327 Datasheet Copertura
BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 2 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 3 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 4 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 5 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 6 BFP 650F E6327 Datasheet Pagina 7

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BFP 650F E6327 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)4.5V
Frequenza - Transizione42GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Guadagno11dB ~ 21.5dB
Potenza - Max500mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce110 @ 80mA, 3V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)150mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia4-SMD, Flat Leads
Pacchetto dispositivo fornitore4-TSFP

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

8GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Guadagno

22dB

Potenza - Max

250mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

65mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

PG-SOT143-4

2SC2714-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

30V

Frequenza - Transizione

550MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2.5dB @ 100MHz

Guadagno

23dB

Potenza - Max

100mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

20mA

Temperatura di esercizio

125°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

S-Mini

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

6.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Guadagno

9dB

Potenza - Max

1.2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

125 @ 20mA, 10V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-243AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-89

BFU530AR

NXP

Produttore

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

12V

Frequenza - Transizione

11GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Guadagno

18dB

Potenza - Max

450mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

40mA

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-236AB (SOT23)

61110

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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