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BF799WH6327XTSA1

BF799WH6327XTSA1

Solo per riferimento

Numero parte BF799WH6327XTSA1
PNEDA Part # BF799WH6327XTSA1
Descrizione RF TRANS NPN 20V 800MHZ SOT323-3
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.348
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BF799WH6327XTSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBF799WH6327XTSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - RF
Datasheet
BF799WH6327XTSA1, BF799WH6327XTSA1 Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 510,24 KB)
PDFBF799WH6327XTSA1 Datasheet Copertura
BF799WH6327XTSA1 Datasheet Pagina 2 BF799WH6327XTSA1 Datasheet Pagina 3 BF799WH6327XTSA1 Datasheet Pagina 4 BF799WH6327XTSA1 Datasheet Pagina 5 BF799WH6327XTSA1 Datasheet Pagina 6

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BF799WH6327XTSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo di transistorNPN
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)20V
Frequenza - Transizione800MHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)3dB @ 100MHz
Guadagno-
Potenza - Max280mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 20mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)35mA
Temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / CustodiaSC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitorePG-SOT323-3

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

-

Potenza - Max

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

BLT81,115

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Produttore

NXP USA Inc.

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

9.5V

Frequenza - Transizione

900MHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

-

Guadagno

8dB

Potenza - Max

2W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

25 @ 300mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Temperatura di esercizio

175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-261-4, TO-261AA

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-223

MRF5812GR1

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

15V

Frequenza - Transizione

5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Guadagno

13dB ~ 15.5dB

Potenza - Max

1.25W

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

200mA

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

2SC5454-A

CEL

Produttore

CEL

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

6V

Frequenza - Transizione

14.5GHz

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Guadagno

12dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

50mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-253-4, TO-253AA

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Produttore

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Serie

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Tipo di transistor

NPN

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

5.5V

Frequenza - Transizione

-

Figura di rumore (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Guadagno

11dB ~ 12.5dB

Potenza - Max

200mW

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

32mA

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

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