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BD241A-S

BD241A-S

Solo per riferimento

Numero parte BD241A-S
PNEDA Part # BD241A-S
Descrizione TRANS NPN 60V 3A
Produttore Bourns
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 5.436
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

BD241A-S Risorse

Brand Bourns
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteBD241A-S
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - Bipolare (BJT) - Singolo
Datasheet
BD241A-S, BD241A-S Datasheet (Totale pagine: 4, Dimensioni: 151,3 KB)
PDFBD241B-S Datasheet Copertura
BD241B-S Datasheet Pagina 2 BD241B-S Datasheet Pagina 3 BD241B-S Datasheet Pagina 4

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BD241A-S Specifiche

ProduttoreBourns Inc.
Serie-
Tipo di transistorNPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)3A
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)60V
Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic1.2V @ 600mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (Max)300µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce25 @ 1A, 4V
Potenza - Max2W
Frequenza - Transizione-
Temperatura di esercizio-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioThrough Hole
Pacchetto / CustodiaTO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitoreTO-220

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Micro Commercial Co

Produttore

Micro Commercial Co

Serie

-

Tipo di transistor

NPN - Darlington

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

500mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

1V @ 100µA, 100mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

10000 @ 100mA, 5V

Potenza - Max

300mW

Frequenza - Transizione

170MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23

MPS6652RLRAG

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

PNP

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

1A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

40V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

100nA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

50 @ 500mA, 1V

Potenza - Max

625mW

Frequenza - Transizione

100MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92-3

NSVMMBT5401M3T5G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

*

Tipo di transistor

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

-

Potenza - Max

-

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

MMBT5210

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

100mA

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

50V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 1mA, 10mA

Corrente - Taglio collettore (Max)

50nA (ICBO)

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 100µA, 5V

Potenza - Max

350mW

Frequenza - Transizione

30MHz

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Pacchetto dispositivo fornitore

SOT-23-3

JANTXV2N3766

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Produttore

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/518

Tipo di transistor

NPN

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

4A

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

60V

Vce Saturazione (Max) @ Ib, Ic

2.5V @ 100mA, 1A

Corrente - Taglio collettore (Max)

500µA

Guadagno di corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

Potenza - Max

25W

Frequenza - Transizione

-

Temperatura di esercizio

-65°C ~ 200°C (TJ)

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Through Hole

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