BAS116LP3-7
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| Numero parte | BAS116LP3-7 |
| PNEDA Part # | BAS116LP3-7 |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 85V 215MA 2DFN |
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 547.368 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida) |
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BAS116LP3-7 Risorse
| Brand | Diodes Incorporated |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | BAS116LP3-7 |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
| Datasheet |
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BAS116LP3-7 Specifiche
| Produttore | Diodes Incorporated |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 85V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 215mA (DC) |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 150mA |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 3µs |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10nA @ 75V |
| Capacità @ Vr, F | 3pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 0201 (0603 Metric) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 2-X3-DFN0603 |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
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Produttore Microsemi Corporation Serie * Tipo di diodo - Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) - Corrente - Media Rettificata (Io) - Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If - Velocità - Tempo di recupero inverso (trr) - Corrente - Perdita inversa @ Vr - Capacità @ Vr, F - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - Temperatura di esercizio - Giunzione - |
