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AUIRLR014N

AUIRLR014N

Solo per riferimento

Numero parte AUIRLR014N
PNEDA Part # AUIRLR014N
Descrizione MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 7.902
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 13 - mag 18 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRLR014N Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRLR014N
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Singolo

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AUIRLR014N Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione Drain to Source (Vdss)55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C10A (Tc)
Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs140mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.9nC @ 5V
Vgs (massimo)±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds265pF @ 25V
Funzione FET-
Dissipazione di potenza (max)28W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreD-PAK (TO-252AA)
Pacchetto / CustodiaTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Produttore

IXYS

Serie

HiPerFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

650V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

108nC @ 10V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

6300pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

780W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-247-4L

Pacchetto / Custodia

TO-247-4

NTD18N06LT4G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

18A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

65mOhm @ 9A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 5V

Vgs (massimo)

±15V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

675pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.1W (Ta), 55W (Tj)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

DPAK

Pacchetto / Custodia

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IRFS7730-7PPBF

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

StrongIRFET™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

75V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

240A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

428nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

13970pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

375W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

D2PAK (7-Lead)

Pacchetto / Custodia

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

IXTT96N15P

IXYS

Produttore

IXYS

Serie

PolarHT™

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

150V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

96A (Tc)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

24mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

480W (Tc)

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-268

Pacchetto / Custodia

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

RSS075P03FU6TB

Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

P-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7.5A (Ta)

Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 5V

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 10V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2W (Ta)

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Venduto di recente

BLM18AG601SN1D

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Murata

FERRITE BEAD 600 OHM 0603 1LN

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IC COUNTER BINARY PRESET 16-DIP

MAX17222ELT+T

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Maxim Integrated

IC REG BOOST ADJ 500MA 6UDFN

BLM15AG221SN1D

BLM15AG221SN1D

Murata

FERRITE BEAD 220 OHM 0402 1LN

TAJC337M006RNJ

TAJC337M006RNJ

CAP TANT 330UF 20% 6.3V 2312