TK100E08N1,S1X
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| Numero parte | TK100E08N1,S1X |
| PNEDA Part # | TK100E08N1-S1X |
| Descrizione | MOSFET N-CH 80V 100A TO220 |
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.840 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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TK100E08N1 Risorse
| Brand | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | TK100E08N1,S1X |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Singolo |
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TK100E08N1 Specifiche
| Produttore | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Ta) |
| Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 40V |
| Funzione FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 255W (Tc) |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
| Pacchetto / Custodia | TO-220-3 |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET P-Channel Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7.2A (Ta) Tensione inverter (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 10mOhm @ 8.8A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 400µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 5V Vgs (massimo) ±8V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Funzione FET - Dissipazione di potenza (max) 1.05W (Ta) Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSSOP Pacchetto / Custodia 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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