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AUIRFN8458TR

AUIRFN8458TR

Solo per riferimento

Numero parte AUIRFN8458TR
PNEDA Part # AUIRFN8458TR
Descrizione MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.624
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 16 - lug 21 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRFN8458TR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRFN8458TR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
AUIRFN8458TR, AUIRFN8458TR Datasheet (Totale pagine: 10, Dimensioni: 735,48 KB)
PDFAUIRFN8458TR Datasheet Copertura
AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 2 AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 3 AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 4 AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 5 AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 6 AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 7 AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 8 AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 9 AUIRFN8458TR Datasheet Pagina 10

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AUIRFN8458TR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.9V @ 25µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds1060pF @ 25V
Potenza - Max34W (Tc)
Temperatura di esercizio-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitorePQFN (5x6)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

9.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.5mOhm @ 12.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.3W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

745pF @ 10V

Potenza - Max

1.7W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

40V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.6mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 30µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2940pF @ 25V

Potenza - Max

65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

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Tipo FET

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Funzione FET

Logic Level Gate, 4.5V Drive

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

17A, 32A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1160pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

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