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AUIRF7319QTR

AUIRF7319QTR

Solo per riferimento

Numero parte AUIRF7319QTR
PNEDA Part # AUIRF7319QTR
Descrizione MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 8.388
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 18 - lug 23 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AUIRF7319QTR Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAUIRF7319QTR
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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AUIRF7319QTR Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
SerieHEXFET®
Tipo FETN and P-Channel
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C6.5A, 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds650pF @ 25V
Potenza - Max2W
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SO

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

630mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.8Ohm @ 150mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.74nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

12.9pF @ 12V

Potenza - Max

820mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

TSOT-26

FDMS3604AS

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13A, 23A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.7V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1695pF @ 15V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

Power56

DMN2040LSD-13

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

562pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

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Serie

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Tipo FET

4 N-Channel

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

100V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto / Custodia

14-DIP (0.300", 7.62mm)

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Produttore

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Tipo FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

13.1A (Ta), 47.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40.2nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

2615pF @ 30V

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