AUIR3200S
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| Numero parte | AUIR3200S |
| PNEDA Part # | AUIR3200S |
| Descrizione | IC MFET DRVR HIGH SIDE 8SOIC |
| Produttore | Infineon Technologies |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.636 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 24 - mag 29 (Scegli Spedizione rapida) |
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AUIR3200S Risorse
| Brand | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | AUIR3200S |
| Categoria | Semiconduttori › CI di gestione dell'alimentazione › PMIC - Gate driver |
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AUIR3200S Specifiche
| Produttore | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Configurazione guidata | High-Side |
| Tipo di canale | Single |
| Numero di driver | 1 |
| Tipo di porta | N-Channel MOSFET |
| Tensione - Alimentazione | 6V ~ 36V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.9V, 2.7V |
| Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) | - |
| Tipo di ingresso | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | - |
| Tempo di salita / discesa (tipico) | 1µs, 1µs |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
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Produttore Infineon Technologies Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale 3-Phase Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 10V ~ 20V Tensione logica - VIL, VIH 0.8V, 2.2V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 250mA, 500mA Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Tempo di salita / discesa (tipico) 90ns, 40ns Temperatura di esercizio 125°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 28-DIP (0.600", 15.24mm) Pacchetto dispositivo fornitore 28-PDIP |
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Produttore Monolithic Power Systems Inc. Serie - Configurazione guidata Half-Bridge Tipo di canale Independent Numero di driver 2 Tipo di porta N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 9V ~ 16V Tensione logica - VIL, VIH 1V, 2.4V Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) 2.5A, 2.5A Tipo di ingresso Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 100V Tempo di salita / discesa (tipico) 12ns, 9ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 140°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Pacchetto dispositivo fornitore 8-SOIC-EP |
Produttore Power Integrations Serie SCALE™-1 Configurazione guidata Low-Side Tipo di canale Synchronous Numero di driver 6 Tipo di porta IGBT, N-Channel MOSFET Tensione - Alimentazione 0V ~ 16V Tensione logica - VIL, VIH - Corrente - Uscita di picco (Source, Sink) - Tipo di ingresso Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) - Tempo di salita / discesa (tipico) 100ns, 80ns Temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TJ) Tipo di montaggio Through Hole Pacchetto / Custodia 68-DIP Module, 58 Leads Pacchetto dispositivo fornitore Module |
