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AT45DB161E-CCUD-T

AT45DB161E-CCUD-T

Solo per riferimento

Numero parte AT45DB161E-CCUD-T
PNEDA Part # AT45DB161E-CCUD-T_CA
Descrizione IC FLASH 16M SPI 85MHZ 9UBGA
Produttore Adesto Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 6.012
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 14 - giu 19 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT45DB161E-CCUD-T Risorse

Brand Adesto Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT45DB161E-CCUD-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT45DB161E-CCUD-T, AT45DB161E-CCUD-T Datasheet (Totale pagine: 74, Dimensioni: 2.532,43 KB)
PDFAT45DB161E-CCUF-T Datasheet Copertura
AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 2 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 3 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 4 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 5 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 6 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 7 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 8 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 9 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 10 AT45DB161E-CCUF-T Datasheet Pagina 11

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AT45DB161E-CCUD-T Specifiche

ProduttoreAdesto Technologies
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaFLASH
TecnologiaFLASH
Dimensione della memoria16Mb (528 Bytes x 4096 pages)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock85MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina8µs, 4ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 3.6V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia9-UBGA
Pacchetto dispositivo fornitore9-UBGA (6x6)

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Produttore

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Serie

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Volatile

Formato memoria

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Tecnologia

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Dimensione della memoria

72Mb (4M x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

200MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

165-LBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

44-TSOP II

MT29F16G08ABCBBH1-12AIT:B TR

Micron Technology Inc.

Produttore

Micron Technology Inc.

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

FLASH - NAND

Dimensione della memoria

16Gb (2G x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

83MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

100-VBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

100-VBGA (12x18)

CY7C1361C-100AXE

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, SDR

Dimensione della memoria

9Mb (256K x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

100MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

8.5ns

Tensione - Alimentazione

3.135V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 125°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

100-TQFP (14x20)

CY7C1420LV18-250BZXC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Synchronous, DDR II

Dimensione della memoria

36Mb (1M x 36)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

250MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

1.7V ~ 1.9V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

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