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AT25160AN-10SI-2.7-T

AT25160AN-10SI-2.7-T

Solo per riferimento

Numero parte AT25160AN-10SI-2.7-T
PNEDA Part # AT25160AN-10SI-2-7-T
Descrizione IC EEPROM 16K SPI 20MHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 4.464
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT25160AN-10SI-2.7-T Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT25160AN-10SI-2.7-T
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT25160AN-10SI-2.7-T, AT25160AN-10SI-2.7-T Datasheet (Totale pagine: 23, Dimensioni: 279,55 KB)
PDFAT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT25640AN-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT25160AN-10SI-2.7-T Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria16Kb (2K x 8)
Interfaccia di memoriaSPI
Frequenza di clock20MHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso-
Tensione - Alimentazione2.7V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

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Dimensione della memoria

1Mb (64K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

12ns

Tempo di accesso

12ns

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

IS61WV5128BLL-10KLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (512K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

1.65V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

36-SOJ

SM668PE8-AC

Silicon Motion, Inc.

Produttore

Silicon Motion, Inc.

Serie

*

Tipo di memoria

-

Formato memoria

-

Tecnologia

-

Dimensione della memoria

-

Interfaccia di memoria

-

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CY7S1041G30-10VXI

Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Asynchronous

Dimensione della memoria

4Mb (256K x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

10ns

Tempo di accesso

10ns

Tensione - Alimentazione

2.2V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

44-SOJ

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Winbond Electronics

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Interfaccia di memoria

SPI

Frequenza di clock

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Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

800µs

Tempo di accesso

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Tensione - Alimentazione

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Temperatura di esercizio

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Tipo di montaggio

Surface Mount

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