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AT24C08N-10SC-2.5

AT24C08N-10SC-2.5

Solo per riferimento

Numero parte AT24C08N-10SC-2.5
PNEDA Part # AT24C08N-10SC-2-5
Descrizione IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8SOIC
Produttore Microchip Technology
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Disponibile 4.914
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Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

AT24C08N-10SC-2.5 Risorse

Brand Microchip Technology
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAT24C08N-10SC-2.5
CategoriaSemiconduttoriCircuiti integrati di memoriaMemoria
Datasheet
AT24C08N-10SC-2.5, AT24C08N-10SC-2.5 Datasheet (Totale pagine: 16, Dimensioni: 310,1 KB)
PDFAT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Copertura
AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 2 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 3 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 4 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 5 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 6 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 7 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 8 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 9 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 10 AT24C04N-10SI-2.7-T Datasheet Pagina 11

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AT24C08N-10SC-2.5 Specifiche

ProduttoreMicrochip Technology
Serie-
Tipo di memoriaNon-Volatile
Formato memoriaEEPROM
TecnologiaEEPROM
Dimensione della memoria8Kb (1K x 8)
Interfaccia di memoriaI²C
Frequenza di clock400kHz
Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina5ms
Tempo di accesso900ns
Tensione - Alimentazione2.5V ~ 5.5V
Temperatura di esercizio0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOIC

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

FLASH

Tecnologia

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Dimensione della memoria

64Mb (8M x 8, 4M x 16)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

90ns

Tempo di accesso

90ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

48-VFBGA

Pacchetto dispositivo fornitore

48-FBGA (8.15x6.15)

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Cypress Semiconductor

Produttore

Cypress Semiconductor Corp

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

NVSRAM

Tecnologia

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

I²C

Frequenza di clock

3.4MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

-

Tensione - Alimentazione

4.5V ~ 5.5V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 105°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Microchip Technology

Produttore

Microchip Technology

Serie

-

Tipo di memoria

Non-Volatile

Formato memoria

EEPROM

Tecnologia

EEPROM

Dimensione della memoria

64Kb (8K x 8)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

3ms

Tempo di accesso

250ns

Tensione - Alimentazione

2.7V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TC)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

28-SOIC

70V38L20PF8

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Produttore

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Serie

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Tipo di memoria

Volatile

Formato memoria

SRAM

Tecnologia

SRAM - Dual Port, Asynchronous

Dimensione della memoria

1.125Mb (64K x 18)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

-

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

20ns

Tempo di accesso

20ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

0°C ~ 70°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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Pacchetto dispositivo fornitore

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Produttore

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

Serie

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Tipo di memoria

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Formato memoria

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Dimensione della memoria

128Mb (4M x 32)

Interfaccia di memoria

Parallel

Frequenza di clock

133MHz

Tempo di ciclo di scrittura - Parola, pagina

-

Tempo di accesso

6ns

Tensione - Alimentazione

3V ~ 3.6V

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

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