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SI1903DL-T1-E3

SI1903DL-T1-E3

Solo per riferimento

Numero parte SI1903DL-T1-E3
PNEDA Part # SI1903DL-T1-E3
Descrizione MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.212
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 24 - lug 29 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SI1903DL-T1-E3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSI1903DL-T1-E3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SI1903DL-T1-E3, SI1903DL-T1-E3 Datasheet (Totale pagine: 5, Dimensioni: 106,33 KB)
PDFSI1903DL-T1-GE3 Datasheet Copertura
SI1903DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SI1903DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SI1903DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SI1903DL-T1-GE3 Datasheet Pagina 5

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SI1903DL-T1-E3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
Tipo FET2 P-Channel (Dual)
Funzione FETLogic Level Gate
Tensione Drain to Source (Vdss)20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs995mOhm @ 410mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.8nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max270mW
Temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / Custodia6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitoreSC-70-6 (SOT-363)

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Produttore

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Serie

HEXFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

5.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1984pF @ 6V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72.5nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1761pF @ 25V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

P-DSO-8

SI3993DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produttore

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

1.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

133mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

830mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3A, 2.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

505pF @ 20V

Potenza - Max

1W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

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Tensione Drain to Source (Vdss)

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Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

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