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APTM20DUM04G

APTM20DUM04G

Solo per riferimento

Numero parte APTM20DUM04G
PNEDA Part # APTM20DUM04G
Descrizione MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.088
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata mag 19 - mag 24 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM20DUM04G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM20DUM04G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array

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APTM20DUM04G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C372A
Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 186A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs560nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds28900pF @ 25V
Potenza - Max1250W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP6
Pacchetto dispositivo fornitoreSP6

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Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

50V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

IPG20N06S4L11ATMA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

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Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

20A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.2mOhm @ 17A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 28µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

53nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

4020pF @ 25V

Potenza - Max

65W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

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Rohm Semiconductor

Produttore

Rohm Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

80V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 10V

Potenza - Max

1.4W

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOP

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Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

8A, 6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 9.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30.6nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1276pF @ 15V

Potenza - Max

1.19W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SOIC

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Funzione FET

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Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

83mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

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