SH8K41GZETB
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| Numero parte | SH8K41GZETB |
| PNEDA Part # | SH8K41GZETB |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOP |
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 5.202 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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SH8K41GZETB Risorse
| Brand | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | SH8K41GZETB |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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SH8K41GZETB Specifiche
| Produttore | Rohm Semiconductor |
| Serie | - |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 3.4A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 10V |
| Potenza - Max | 1.4W |
| Temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
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Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V Potenza - Max 17.8W, 23W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
