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APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

Solo per riferimento

Numero parte APTM120DU29TG
PNEDA Part # APTM120DU29TG
Descrizione MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.032
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTM120DU29TG Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTM120DU29TG
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
APTM120DU29TG, APTM120DU29TG Datasheet (Totale pagine: 6, Dimensioni: 291,27 KB)
PDFAPTM120DU29TG Datasheet Copertura
APTM120DU29TG Datasheet Pagina 2 APTM120DU29TG Datasheet Pagina 3 APTM120DU29TG Datasheet Pagina 4 APTM120DU29TG Datasheet Pagina 5 APTM120DU29TG Datasheet Pagina 6

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APTM120DU29TG Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Funzione FETStandard
Tensione Drain to Source (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C34A
Rds On (Max) @ Id, Vgs348mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs374nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds10300pF @ 25V
Potenza - Max780W
Temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP4
Pacchetto dispositivo fornitoreSP4

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

12V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

6.3A, 3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

34mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.6nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 9V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

SSM6N48FU,RF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produttore

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.2Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

15.1pF @ 3V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

US6

ZXMC4559DN8TC

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

60V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

3.6A, 2.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.4nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1063pF @ 30V

Potenza - Max

2.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Pacchetto dispositivo fornitore

8-SO

FDC6322C

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 460mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V

Potenza - Max

700mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pacchetto dispositivo fornitore

SuperSOT™-6

DMC31D5UDJ-7

Diodes Incorporated

Produttore

Diodes Incorporated

Serie

-

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

220mA, 200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.38nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

22.6pF @ 15V

Potenza - Max

350mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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