APTM100H45FT3G
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| Numero parte | APTM100H45FT3G |
| PNEDA Part # | APTM100H45FT3G |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP3 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 6.228 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
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APTM100H45FT3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTM100H45FT3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTM100H45FT3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 1000V (1kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 18A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 154nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4350pF @ 25V |
| Potenza - Max | 357W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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Produttore Diodes Incorporated Serie * Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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