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SIZF918DT-T1-GE3

SIZF918DT-T1-GE3

Solo per riferimento

Numero parte SIZF918DT-T1-GE3
PNEDA Part # SIZF918DT-T1-GE3
Descrizione MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
Produttore Vishay Siliconix
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 4.932
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata lug 23 - lug 28 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

SIZF918DT-T1-GE3 Risorse

Brand Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteSIZF918DT-T1-GE3
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - FET, MOSFET - Array
Datasheet
SIZF918DT-T1-GE3, SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet (Totale pagine: 14, Dimensioni: 263,44 KB)
PDFSIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Copertura
SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 2 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 3 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 4 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 5 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 6 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 7 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 8 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 9 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 10 SIZF918DT-T1-GE3 Datasheet Pagina 11

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  • SIZF918DT-T1-GE3 Distributor

SIZF918DT-T1-GE3 Specifiche

ProduttoreVishay Siliconix
Serie*
Tipo FET-
Funzione FET-
Tensione Drain to Source (Vdss)-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max-
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggio-
Pacchetto / Custodia-
Pacchetto dispositivo fornitore-

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ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10.3A, 13.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Potenza - Max

1.1W, 1.16W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerTDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

CSD87503Q3ET

Texas Instruments

Produttore

Serie

NexFET™

Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Source

Funzione FET

Standard

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

2.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

1020pF @ 15V

Potenza - Max

15.6W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-PowerVDFN

Pacchetto dispositivo fornitore

8-VSON (3.3x3.3)

FDG6304P

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

25V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

410mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 410mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

62pF @ 10V

Potenza - Max

300mW

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Pacchetto dispositivo fornitore

SC-88 (SC-70-6)

NTHD5903T1G

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

-

Tipo FET

2 P-Channel (Dual)

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

20V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

2.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

155mOhm @ 2.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.4nC @ 4.5V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

-

Potenza - Max

1.1W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Surface Mount

Pacchetto / Custodia

8-SMD, Flat Lead

Pacchetto dispositivo fornitore

ChipFET™

FDS8958

ON Semiconductor

Produttore

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

Tipo FET

N and P-Channel

Funzione FET

Logic Level Gate

Tensione Drain to Source (Vdss)

30V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C

7A, 5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

26nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds

789pF @ 10V

Potenza - Max

2W

Temperatura di esercizio

-55°C ~ 150°C (TJ)

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