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APTGF50DA120T1G

APTGF50DA120T1G

Solo per riferimento

Numero parte APTGF50DA120T1G
PNEDA Part # APTGF50DA120T1G
Descrizione IGBT 1200V 75A 312W SP1
Produttore Microsemi
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 2.466
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 8 - giu 13 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

APTGF50DA120T1G Risorse

Brand Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parteAPTGF50DA120T1G
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
APTGF50DA120T1G, APTGF50DA120T1G Datasheet (Totale pagine: 7, Dimensioni: 480,97 KB)
PDFAPTGF50DA120T1G Datasheet Copertura
APTGF50DA120T1G Datasheet Pagina 2 APTGF50DA120T1G Datasheet Pagina 3 APTGF50DA120T1G Datasheet Pagina 4 APTGF50DA120T1G Datasheet Pagina 5 APTGF50DA120T1G Datasheet Pagina 6 APTGF50DA120T1G Datasheet Pagina 7

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APTGF50DA120T1G Specifiche

ProduttoreMicrosemi Corporation
Serie-
Tipo IGBTNPT
ConfigurazioneSingle
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1200V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)75A
Potenza - Max312W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic3.7V @ 15V, 50A
Corrente - Taglio collettore (Max)250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce3.45nF @ 25V
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaSP1
Pacchetto dispositivo fornitoreSP1

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

2 Independent

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

440A

Potenza - Max

1800W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

24.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FF300R12ME4PB11BPSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

EconoDUAL™ 3

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

600A

Potenza - Max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 300A

Corrente - Taglio collettore (Max)

3mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

18.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

BSM75GB120DN2HOSA1

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

105A

Potenza - Max

625W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 75A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1.5mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

5.5nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

CM150DY-28H

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Produttore

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1400V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

150A

Potenza - Max

1100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4.2V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

30nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

No

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

6MS20017E43W37032NOSA1

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Produttore

Infineon Technologies

Serie

-

Tipo IGBT

-

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Three Phase Inverter

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1700V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-25°C ~ 55°C

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

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