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6MS20017E43W37032NOSA1

6MS20017E43W37032NOSA1

Solo per riferimento

Numero parte 6MS20017E43W37032NOSA1
PNEDA Part # 6MS20017E43W37032NOSA1
Descrizione IGBT MODULE 690V 1200A
Produttore Infineon Technologies
Prezzo unitario Richiedi un preventivo
Disponibile 3.618
Magazzini Shipped from Hong Kong SAR
Consegna stimata giu 6 - giu 11 (Scegli Spedizione rapida)
Guarantee Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] *

6MS20017E43W37032NOSA1 Risorse

Brand Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. Numero di parte6MS20017E43W37032NOSA1
CategoriaSemiconduttoriTransistorTransistor - IGBT - Moduli
Datasheet
6MS20017E43W37032NOSA1, 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet (Totale pagine: 9, Dimensioni: 1.887,71 KB)
PDF6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Copertura
6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Pagina 2 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Pagina 3 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Pagina 4 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Pagina 5 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Pagina 6 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Pagina 7 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Pagina 8 6MS20017E43W37032NOSA1 Datasheet Pagina 9

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6MS20017E43W37032NOSA1 Specifiche

ProduttoreInfineon Technologies
Serie-
Tipo IGBT-
ConfigurazioneThree Phase Inverter
Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)1700V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)-
Potenza - Max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Corrente - Taglio collettore (Max)-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce-
InputStandard
Termistore NTCYes
Temperatura di esercizio-25°C ~ 55°C
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / CustodiaModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule

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APTGT150SK60T1G

Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

-

Tipo IGBT

Trench Field Stop

Configurazione

Single

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

600V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

480W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 150A

Corrente - Taglio collettore (Max)

250µA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo di montaggio

Chassis Mount

Pacchetto / Custodia

SP1

Pacchetto dispositivo fornitore

SP1

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Microsemi

Produttore

Microsemi Corporation

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

CM225DX-24S1

Powerex Inc.

Produttore

Powerex Inc.

Serie

-

Tipo IGBT

-

Configurazione

Half Bridge

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

1200V

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

225A

Potenza - Max

1250W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 225A

Corrente - Taglio collettore (Max)

1mA

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

20nF @ 10V

Input

Standard

Termistore NTC

Yes

Temperatura di esercizio

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

Module

Pacchetto dispositivo fornitore

Module

FZ1200R12HE4HOSA2

Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

Tipo di montaggio

-

Pacchetto / Custodia

-

Pacchetto dispositivo fornitore

-

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Infineon Technologies

Produttore

Infineon Technologies

Serie

*

Tipo IGBT

-

Configurazione

-

Tensione - Guasto Collettore Emettitore (Max)

-

Corrente - Collettore (Ic) (Max)

-

Potenza - Max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Corrente - Taglio collettore (Max)

-

Capacità di ingresso (Cies) @ Vce

-

Input

-

Termistore NTC

-

Temperatura di esercizio

-

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-

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-

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