APTC60BBM24T3G
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| Numero parte | APTC60BBM24T3G |
| PNEDA Part # | APTC60BBM24T3G |
| Descrizione | MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 7.308 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 28 - giu 2 (Scegli Spedizione rapida) |
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APTC60BBM24T3G Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APTC60BBM24T3G |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
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APTC60BBM24T3G Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | CoolMOS™ |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Funzione FET | Standard |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 95A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 47.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Potenza - Max | 462W |
| Temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / Custodia | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET - Funzione FET - Tensione Drain to Source (Vdss) - Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max - Temperatura di esercizio - Tipo di montaggio - Pacchetto / Custodia - Pacchetto dispositivo fornitore - |
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Produttore Nexperia USA Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 20V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 725mA, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 380mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V Potenza - Max 280mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Pacchetto dispositivo fornitore 6-TSSOP |
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.3A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 7.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 700µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 1.3W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
