SI7909DN-T1-GE3
Solo per riferimento
| Numero parte | SI7909DN-T1-GE3 |
| PNEDA Part # | SI7909DN-T1-GE3 |
| Descrizione | MOSFET 2P-CH 12V 5.3A 1212-8 |
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 3.508 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 1 - mag 6 (Scegli Spedizione rapida) |
| Guarantee | Fino a 1 anno [PNEDA-Warranty] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
SI7909DN-T1-GE3 Risorse
| Brand | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Numero di parte | SI7909DN-T1-GE3 |
| Categoria | Semiconduttori › Transistor › Transistor - FET, MOSFET - Array |
| Datasheet |
SI7909DN-T1-GE3, SI7909DN-T1-GE3 Datasheet
(Totale pagine: 6, Dimensioni: 87,97 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
In PNEDA, ci sforziamo di essere il leader del settore fornendo rapidamente e in modo affidabile componenti elettronici di alta qualità ai nostri clienti.
Il nostro approccio si basa sul dimostrare ai nostri clienti tre vantaggi chiave:
Pronta reattività
Il nostro team risponde rapidamente alle tue richieste e si mette immediatamente al lavoro per trovare le tue parti.
Qualità garantita
I nostri processi di controllo della qualità proteggono dalle contraffazioni garantendo affidabilità e prestazioni.
Accesso globale
La nostra rete mondiale di risorse affidabili ci consente di trovare e fornire le parti specifiche di cui hai bisogno.
Hot search vocabulary
- SI7909DN-T1-GE3 Datasheet
- where to find SI7909DN-T1-GE3
- Vishay Siliconix
- Vishay Siliconix SI7909DN-T1-GE3
- SI7909DN-T1-GE3 PDF Datasheet
- SI7909DN-T1-GE3 Stock
- SI7909DN-T1-GE3 Pinout
- Datasheet SI7909DN-T1-GE3
- SI7909DN-T1-GE3 Supplier
- Vishay Siliconix Distributor
- SI7909DN-T1-GE3 Price
- SI7909DN-T1-GE3 Distributor
SI7909DN-T1-GE3 Specifiche
| Produttore | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Funzione FET | Logic Level Gate |
| Tensione Drain to Source (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 5.3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potenza - Max | 1.3W |
| Temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / Custodia | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PowerPAK® 1212-8 Dual |
I prodotti a cui potresti essere interessato
|
Produttore Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 30V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 15V Potenza - Max 17.8W, 23W Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia PowerPAK® 1212-8 Dual Pacchetto dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual |
Produttore Diodes Incorporated Serie - Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Funzione FET Standard Tensione Drain to Source (Vdss) 60V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 550mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.392nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 30pF @ 25V Potenza - Max 940mW Temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia SOT-563, SOT-666 Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563 |
Produttore ON Semiconductor Serie - Tipo FET 2 P-Channel (Dual) Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 12V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 6V Potenza - Max 1.2W Temperatura di esercizio 150°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 8-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore 8-EMH |
Produttore Advanced Linear Devices Inc. Serie EPAD®, Zero Threshold™ Tipo FET 4 N-Channel, Matched Pair Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 10.6V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 80mA Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id 20mV @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - Potenza - Max 500mW Temperatura di esercizio 0°C ~ 70°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Pacchetto dispositivo fornitore 16-SOIC |
Produttore Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - Tipo FET N and P-Channel Funzione FET Logic Level Gate Tensione Drain to Source (Vdss) 40V Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 33mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9.2nC @ 10V Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 404pF @ 20V Potenza - Max 1.6W, 1.7W Temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab) Pacchetto dispositivo fornitore TO-252-5 |
