APT75DQ60BG
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| Numero parte | APT75DQ60BG |
| PNEDA Part # | APT75DQ60BG |
| Descrizione | DIODE GEN PURP 600V 75A TO247 |
| Produttore | Microsemi |
| Prezzo unitario | Richiedi un preventivo |
| Disponibile | 14.460 |
| Magazzini | Shipped from Hong Kong SAR |
| Consegna stimata | mag 14 - mag 19 (Scegli Spedizione rapida) |
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APT75DQ60BG Risorse
| Brand | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Numero di parte | APT75DQ60BG |
| Categoria | Semiconduttori › Diodi e raddrizzatori › Raddrizzatori - Singoli |
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APT75DQ60BG Specifiche
| Produttore | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Tipo di diodo | Standard |
| Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) | 600V |
| Corrente - Media Rettificata (Io) | 75A |
| Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 75A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 31ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 25µA @ 600V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / Custodia | TO-247-2 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Temperatura di esercizio - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
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Produttore ON Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 Tipo di diodo Standard Tensione - Inversione CC (Vr) (Max) 600V Corrente - Media Rettificata (Io) 1A Tensione - Avanti (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 1A Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Tempo di recupero inverso (trr) 782ns Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 600V Capacità @ Vr, F 3pF @ 4V, 1MHz Tipo di montaggio Surface Mount Pacchetto / Custodia 2-SMD, Flat Lead Pacchetto dispositivo fornitore SOD-323HE Temperatura di esercizio - Giunzione -55°C ~ 175°C |
